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    AMD用65nm造单Die4核Intel说是自杀 [核心配件新闻]
    IT.com.cn(IT世界网)
    2007-3-14 20:11:00 文/

      AMD说过,原生65nm的四核不容易做,毕竟因为制程的原因,65nm的四核心仍旧存在核心面积过大的问题,只有进展到更先进的45nm才能比较好低解决这个问题。不过AMD 也坚信自己走的路才是正确的,随着AMD 公开展示代号barcelona的第一个原生单Die四核心,Intel对AMD这种迎难而上的选择,认为是种自杀行为。因为这会让生产良率很难确保。

      在Intel这边,45nm制程代号 Penryn Yorkfield四核心并不是原本计划中的单Die四核心,由于采用目前65nm Kentsfield和Clovertown的单封装内双核心的四核方案,制造的难度低得多。单Die的四核心则需要到下代的全新架构45nm Nehalem才会出现。Nehalem 预计在2008年下半年发布。

      在Intel认为,目前的单封装集成两个双核核心的做法对性能损失不大,性能表现仍良好,硬要上单Die的四核是冒险行为。AMD为了这个单Die四核需要面对一系列的困难,包括新品发布速度落后、工艺复杂、能耗过高。而且良率一旦无法如期达到量产目标,AMD就可能很被动。


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