日立制作所(Hitachi)日前试产出了工作速度为40Gbps的直接调制式半导体激光器。此次试产的半导体激光器在活性层中使用了GaInNAs。其特点是波长为1290nm，阀值电流仅4.4mA。能够降低通讯设备用40Gbps接口模块的价格，并缩小模块尺寸。

　　日立表示，目前使用的40Gbps半导体激光器主要采用外部调制方式，但由于整个激光器由激光器主体和外部调制器构成，因此尺寸和耗电量通常都很大。价格也相当于8个10Gbps半导体激光器的价格。

　　而直接调制方式目前存在的问题是最高速度仅为10Gbps，为了达到40Gbps的速度，曾经有过将4个激光器组合起来的做法。但价格随之升高。日立表示，客户的要求是将价格控制在2个10Gbps半导体激光器以下的水准。

　　日立早在1995年就提出活性层使用GaInNAs的想法，此次成果确立了适合于GaInNAs的结晶成长新技术，由此实现了在40Gbps下稳定工作的目标。具体来说，就是削除了混入GaInNAs中的Al (铝)。过去的GaInNAs半导体激光器在包层中一般使用AlGaAs，所以在GaInNAs活性层中混入AL降低了特性。此次则使用GaInP取代了AlGaAs。并且通过在电流注入部份采用“倒梯形隆起”结构，既提高了速度，又降低了阀值电流。

　　这种激光器的工作温度只有5℃。今后透过实现高温下稳定工作，以及改善结晶品质等措施，可望在5~6年后能使40Gbps半导体激光器达到实用水准。对于10Gbps以下的激光器，则可望提前投入实际应用。