DDRⅡ性能上是比DDR更快，DDRⅡ的起频为400MHz，并已经支持533Mhz、667Mhz，标准工作频率工作频率分别是200/266/333MHz，工作电压为1.8V。DDR2采用全新架构的的240 PIN DIMM接口标准，但是完全不兼容于DDR的184PIN DIMM接口标准。

　　DDR2内存可进行4bit预读取。两倍于标准DDR内存的2Bit预读速度，即DDR2预读系统命令数据的能力是DDR的两倍，因此，DDR2具有DDR的两倍的完整数据传输能力。

　　理论上单管道DDRII 533带宽为4.2GB/S，双管道形式DDRII同时引入Alviso芯片组提供8.4G/s带宽，更大的带宽更能适应未来的平台的发展。在功耗方面，DDR2电压仅有1.8～1.9V，标准功耗只有304毫瓦；（DDR的电压为2.6V，芯片的功耗要418毫瓦）

　　在抗干扰方面，DDRⅡ也强化了一些新特点，如：内建的终结电阻器（ODT）主要是增强内存抗干扰性，提高电气性能；离线驱动校准（OCD）主要提高内存驱动性能等等。双管道形式的引入，必将主导未来主流NB的发展方向！

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