Intel公司正式宣布，由新一代high-k金属闸极 (high-k metal gate) 45奈米 (nm)制程开始，未来Intel处理器均采用100% 无铅设计，预计将于今年下半年开始量产。

　　 英特尔公司技术与制造事业部副总裁兼封装测试技术发展总监Nasser Grayeli指出：“从淘汰铅的使用、致力于提高我们产品的能效，到降低空气排放和提高水及其他材料的循环利用，英特尔正积极地朝着环境可持续发展的目标迈进。”

　　Intel针对过往仍存于处理器封装之内部连接点 (interconnect) 第一层内之5% (约0.02公克) 的含铅焊锡 (lead solder)，或以锡、银、铜合金 (tin/silver/copper alloy) 取代以铅/锡为主的焊锡。由于Intel先进硅晶技术含有复杂的连接结构，必须投入大量的工程资源，才能使Intel处理器封装完全不使用铅，并推动整合新的焊锡合金系统。

　　无论是采用何种封装设计，包括PGA (pin grid array)、BGA (ball grid array) 和LGA (land grid array) 等方式，Intel45奈米Hi-k技术均将100%使用无铅设计。Intel也将于2008年将65奈米制程所制造的芯片组产品全面改采100% 无铅技术。

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